новости компании о Важный прогресс в световой эффективности ультрафиолетовых светодиодов (УФ-светодиодов)

Важный прогресс в эффективности освещения ультрафиолетовых светодиодов

Улучшая качество кристалла материала, проектируя и эпитаксиально выращивая новую активную структуру квантовой скважины,и монолитная интеграция преобразователя фотоумножителя в традиционную структуру светодиодного устройства, эффективность электрооптического преобразования полупроводникового глубокого ультрафиолетового светодиода (DUV LED) с длиной волны 280 нм была увеличена более чем на 20%.

Ультрафиолетовые светодиоды являются экологически чистой и энергосберегающей альтернативой ртутным лампам.Изменением содержания алюминия в квантовой скважине галлиевого нитрида алюминияВ дополнение к замене ртутных ламп в вышеупомянутых приложениях,Ультрафиолетовые светодиоды также могут использоваться в других приложениях из-за их небольшого размера, высокая эффективность и непрерывно регулируемая длина волны, что делает их более продаваемыми.размер рынка УФ-ЛЕД вырастет с 500 миллионов долларов США в 2019 году до 1 миллиарда долларов США в 2023 году, или даже выше.

Исследование показало, что мы можем использовать различные инновационные подходы для повышения эффективности, в основном включая: уменьшение дефектов и вывихов в эпитаксиальном слое;повышение эффективности допинга n-типа и p-типа для формирования проводящей пленки для повышения эффективности впрыска тока; проектирование структуры устройства для повышения эффективности экстракции света и эффективности преобразования; и использование новой квантовой скважины и барьера на основе AlGaN в области активного излучения света.

Мы вырастили гетероструктуры наших УФ-светодиодов на сапфире, недорогой прозрачной подложке. Мы избегали использования однокристаллических подложки AlN, потому что они слишком дороги.Недостатком сапфира является то, что он имеет решетку и тепловое расширение несоответствие с нитридами, что приводит к плохому качеству кристаллов и не способствует радиационной рекомбинации носителей в активной области.Мы обратились к узорированным сапфировым субстратам с пирамидальными структурами на поверхности и эпитаксиально выращивали высококачественные пленки AlN с использованием бокового перерастанияИсходя из половины ширины кривой рентгеновского дифракции, мы сделали вывод, что плотность дислокации пленки меньше 3 x 108 см2.что показало, что эпислойная напряженность была полностью освобожденаИсходя из этих результатов,Мы знаем, что уменьшение дислокаций может подавить нерадиативную рекомбинацию в активной области УФ-светодиодов и в конечном итоге улучшить эффективность радиативной рекомбинации этих устройств.